ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ
Νέα συνεργασία για προηγμένα τσιπ με…
Θέλεις να βλέπεις τα νέα του astratv.gr πρώτα στη Google;
Πρόσθεσέ μας στις προτιμώμενες πηγές σου:
στα αγαπημένα σου στη Google
Η Samsung Electronics και η ASML διευρύνουν τη στρατηγική συνεργασία τους, με επίκεντρο τη λιθογραφία High NA EUV και μια νέα πλατφόρμα φωτομασκών 12 ιντσών. Η συμφωνία στοχεύει στην αποδοτικότερη κατασκευή των επόμενων γενεών προηγμένων επεξεργαστών και μνημών, καθώς η ζήτηση για υπολογιστική ισχύ τεχνητής νοημοσύνης συνεχίζει να αυξάνεται.
Σύμφωνα με την κοινή ανακοίνωση που δημοσίευσε η Samsung στις 8 Σεπτεμβρίου 2026, η νοτιοκορεατική εταιρεία θα συμμετάσχει σε πρωτοβουλία της βιομηχανίας για την ανάπτυξη φωτομασκών 12 ιντσών, ειδικά για συστήματα λιθογραφίας High NA EUV. Οι φωτομάσκες λειτουργούν ως τα πρότυπα από τα οποία μεταφέρονται τα εξαιρετικά μικρά κυκλώματα πάνω στα πλακίδια πυριτίου. Για δεκαετίες ο κλάδος χρησιμοποιεί κυρίως μάσκες 6 ιντσών, όμως οι μεγαλύτερες διαστάσεις μπορούν να αλλάξουν ουσιαστικά τον τρόπο παραγωγής σύνθετων τσιπ.
Η μετάβαση στη νέα πλατφόρμα αναμένεται να αυξήσει την παραγωγικότητα των εργοστασίων, να μειώσει το κόστος κατασκευής και να περιορίσει την ανάγκη για «συρραφή» διαφορετικών εκθέσεων πάνω στο ίδιο σχέδιο. Αυτό είναι ιδιαίτερα σημαντικό για μεγάλους επεξεργαστές κέντρων δεδομένων και επιταχυντές AI, στους οποίους η διαθέσιμη επιφάνεια και η ακρίβεια εκτύπωσης αποτελούν κρίσιμους παράγοντες.
Η τεχνολογία High NA EUV αποτελεί την επόμενη εξέλιξη της ακραίας υπεριώδους λιθογραφίας. Η μεγαλύτερη αριθμητική οπή επιτρέπει την αποτύπωση λεπτότερων χαρακτηριστικών, ανοίγοντας τον δρόμο για πυκνότερα, ταχύτερα και ενεργειακά αποδοτικότερα κυκλώματα. Η Samsung σχεδιάζει να εισαγάγει τη συγκεκριμένη τεχνολογία σε μελλοντική μαζική παραγωγή μνημών DRAM έως το 2028, υποστηρίζοντας ότι θα είναι η πρώτη εφαρμογή αυτού του είδους στη βιομηχανία.
Το Reuters αναφέρει ότι η ASML συνεργάζεται επίσης με εταιρείες όπως οι Nvidia, Intel και TSMC για την αξιοποίηση μεγαλύτερων φωτομασκών στα νεότερα εργαλεία της. Τα σημερινά συστήματα EUV μπορούν να υποστηρίξουν τσιπ έως περίπου 800 τετραγωνικά χιλιοστά, ενώ τα συστήματα High NA προσφέρουν καλύτερη ανάλυση αλλά συνοδεύονται από περιορισμούς στο μέγεθος της εκτυπώσιμης περιοχής. Η λύση των 12 ιντσών αποσκοπεί στην αντιμετώπιση αυτού του εμποδίου και, σύμφωνα με το πρακτορείο, θα μπορούσε να βελτιώσει την παραγωγικότητα των συστημάτων κατά περίπου 40%.
Η συνεργασία έχει μακροπρόθεσμο ορίζοντα. Η ASML σχεδιάζει πιλοτική εφαρμογή της μεγαλύτερης μάσκας γύρω στο 2031 και τεχνολογία έτοιμη για παραγωγή το 2033. Παρά το χρονοδιάγραμμα, η έγκαιρη συμμετοχή της Samsung είναι στρατηγικής σημασίας: της επιτρέπει να επηρεάσει τις προδιαγραφές της πλατφόρμας και να προετοιμάσει εγκαίρως τις διαδικασίες παραγωγής μνημών και λογικών κυκλωμάτων για την εποχή μετά τα σημερινά όρια της EUV.
Πηγή: Samsung Global Newsroom, 8 Σεπτεμβρίου 2026 · Reuters, 8 Σεπτεμβρίου 2026
Περισσότερα στο cyberskills.gr
-
ΒΟΛΟΣ15 ώρες agoΣύλληψη ενός 25χρονου- Στην κατοχή του βρέθηκε σιδερογροθιά
-
MEDIA12 ώρες agoΝεκρός μετά από αποτυχημένη επέμβαση μεγέθυνσης ανδρικού μορίου Βρετανός influencer
-
MEDIA14 ώρες agoΗ θερμή υποδοχή από τον Νίκο Χατζηνικολάου και τα πρώτα της λόγια
-
ΕΛΛΑΔΑ9 ώρες agoΔικηγόρος εντοπίστηκε νεκρός στο διαμέρισμά του, οι δικοί του τον αναζητούσαν επί πέντε ημέρες
-
ΛΑΡΙΣΑ14 ώρες agoΣυναγερμός σήμανε στη Λάρισα με την εξαφάνιση 39χρονης
-
ΕΛΛΑΔΑ12 ώρες agoΚατηγορείται ότι εξέδιδε δύο 16χρονες
-
ΠΟΛΙΤΙΚΗ4 ώρες agoΠ. Αμυράς : Οι εξαγγελίες του Πρωθυπουργού θα υλοποιηθούν μία προς μία
-
ΒΟΛΟΣ18 λεπτά agoΘρήνος για τον ξαφνικό χαμό του 46χρονου Γιάννη Τσιαμήτα από το Σέσκλο- Πέθανε στον ύπνο του










